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手持式熒光光譜分析儀的Si-PIN半導(dǎo)體探測(cè)器
發(fā)布時(shí)間：2020-06-03 08:33:02 點(diǎn)擊：5595
手持式光譜儀的Si-PIN探測(cè)器是半導(dǎo)體材料，常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導(dǎo)體材料應(yīng)用中最具有影響力的一種。
隨著科學(xué)技術(shù)不斷發(fā)展需要，科學(xué)家們?cè)阪N鋰Ge(Li)、硅鋰Si(Li)、高純鍺HPGe、金屬面壘型等探測(cè)器的基礎(chǔ)上 研制出許多新型的半導(dǎo)體探測(cè)器，如硅微條、Pixel、CCD、硅漂移室等，并廣泛應(yīng)用在高能物理、天體物理、工業(yè)、安全檢測(cè)、核醫(yī)學(xué)、X光成像、軍事等各個(gè)領(lǐng)域。世界各大高能物理實(shí)驗(yàn)室?guī)缀醵疾捎冒雽?dǎo)體探測(cè)器作為頂點(diǎn)探測(cè)器。
手持式光譜儀的SI-PIN半導(dǎo)體探測(cè)器
Si-PIN探測(cè)器是一種以半導(dǎo)體材料Si作為探測(cè)器基體，采用P-I-N(PositiVe-Intrinsic-Negative)結(jié)構(gòu)，包括一層P型半導(dǎo)體(多數(shù)載流子是空穴，受主雜質(zhì)為主導(dǎo))、一層N型半導(dǎo)體(多數(shù)載流子為電子，施主雜質(zhì)為主導(dǎo)，)以及二者中間的本征半導(dǎo)體I層，結(jié)合平面工藝和離子注入工藝制作出的高性能核輻射探測(cè)器，它具有結(jié)電容小、漏電流低、響應(yīng)時(shí)間快、抗磁場(chǎng)干擾能力強(qiáng)、位置分辨率好、能量分辨率高等特點(diǎn)，因此是適用于高分辨率能譜儀的理想探測(cè)器。
Si-PIN探測(cè)器只是手持式光譜儀器的一種材料，還有另外配置的探測(cè)器類型，你想知道嗎？下期跟著小編認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體探測(cè)器SDD。
