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光電發(fā)射直讀光譜儀問(wèn)題及解決方法(2)
發(fā)布時(shí)間:2020-11-09 09:46:33 點(diǎn)擊:5134
直讀光譜儀真空下不來(lái)是否導(dǎo)致C、P、S測(cè)試數(shù)據(jù)不穩(wěn)?
(1)、真空對(duì)C ,S,P影響很大,建議檢查真空泵油和真空管(更換)。
(2)、加熱一下分子篩。
分析試樣時(shí),別的成分都能出來(lái),Mo的含量卻沒(méi)有出來(lái)?
(1)、需要作一下描跡。
(2)、設(shè)置元素輸出參數(shù)是否打勾。如沒(méi)有打上勾就可以了。
直讀光譜儀測(cè)試生產(chǎn)的A356產(chǎn)品的硅分析時(shí),發(fā)現(xiàn)硅含量偏差較大,一個(gè)表面上甚至可以達(dá)到0.15的偏離,流槽中兩個(gè)樣品會(huì)有0.25的偏差?
主要是樣品的均勻性問(wèn)題,高硅鋁樣品使用快速急泠模取樣,否則樣品的偏析較大。
如何才能避免這種不均勻呢?
(1)、高硅含量一過(guò)共晶點(diǎn)就非常容易產(chǎn)生結(jié)晶偏差,所以可以做一個(gè)金屬模具,澆鑄出來(lái)的樣品像一個(gè)圖章的樣子,底面直徑大約35毫米,厚度6毫米左右,澆鑄口徑不大于8毫米,把樣品的底面車平就可以了,應(yīng)該問(wèn)題不大。
(2)、Si要求在6.5%-7.5%,生產(chǎn)控制樣偏差0.15%應(yīng)該算正常,標(biāo)準(zhǔn)樣也有這么大的偏差,生產(chǎn)時(shí)結(jié)晶Si要盡量要小,便于滲入合金中,精煉攪拌均勻,靜置時(shí)間適當(dāng)放長(zhǎng),取樣制樣很關(guān)鍵,模具壁要厚,便于冷卻快,晶粒細(xì)化,樣品均勻性就好。
直讀光譜儀測(cè)球鐵零件樣,在白口化時(shí),用780℃,保溫一段時(shí)間(試樣厚薄不同),用水急冷,但有時(shí)效果很差,請(qǐng)問(wèn)如何處理?
(1)、白口化必須要在融熔態(tài)下快速冷卻,才能實(shí)現(xiàn)。
(2)、我們是用圖章式的取樣模具,白口化效果挺好,但沒(méi)有具體控制溫度為多少度。
(3)、我們是使蘑菇式的,師傅們把鐵水澆到樣模里。激冷或空冷都行。
分析鑄鐵光譜儀要用高純度的氬氣,要求99.998%以上,否則也會(huì)造成分析元素的不穩(wěn)定。達(dá)不到要求的要配備氬氣凈化器。
分析中低合金鋼時(shí)S和Mn元素很不穩(wěn)定,一般是氬氣純度不高造成的,也不排除儀器其他問(wèn)題。如火花室積灰,儀器真空度不夠、光電倍增管老化等。
創(chuàng)想光電發(fā)射直讀光譜儀
直讀光譜儀做分析時(shí),有時(shí)會(huì)出現(xiàn)內(nèi)標(biāo)元素的原始光強(qiáng)度只有原來(lái)的1%,再做又為原來(lái)的一半,再做又恢復(fù)正常值。從樣品上看,激發(fā)點(diǎn)由沒(méi)有到小點(diǎn)到正常激發(fā)點(diǎn)。
(1)、你用的氬氣不純或是你儀器的氣體常流量小。
(2)、儀器的激發(fā)電容可能有點(diǎn)問(wèn)題。
什么是線性范圍?什么是相關(guān)系數(shù)?
線性范圍給的是高含量和低含量的比值。線性范圍越大,做曲線的時(shí)候,曲線的范圍選擇性很大,很有彈性。在這個(gè)范圍,相關(guān)系數(shù)是可以得到很好的。當(dāng)然前提都是比較純的基體。實(shí)際中根本達(dá)不到那樣的線形范圍。
相關(guān)系數(shù),是指你的曲線是否在一個(gè)線的參數(shù),越接近于1,說(shuō)明相關(guān)系數(shù)越好(我說(shuō)的一般是1次曲線)。
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